Afrique Science
Revue internationale des sciences et technologie
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Vol.7, N°1 (2011)
Article
Réalisation et simulation d’un modèle rapide d’amplificateur opérationnel en technologie CMOS
TAFO Evariste WEMBE, Département de Physique, Université de Douala, B.P. 24157 Douala, Cameroun
Daniel TEKO, ENSPY, Université de Yaoundé I, B.P. 8390 Yaoundé, Cameroun
Nicodem NISSO, ENSET, Université de Douala, B.P. 1872 Douala, Cameroun
Jean MBIHI, ENSET, Université de Douala, B.P. 1872 Douala, Cameroun
Martin KOM, ENSPY, Université de Yaoundé I, B.P. 8390 Yaoundé, Cameroun
Date de publication : 1 janvier 2011Daniel TEKO, ENSPY, Université de Yaoundé I, B.P. 8390 Yaoundé, Cameroun
Nicodem NISSO, ENSET, Université de Douala, B.P. 1872 Douala, Cameroun
Jean MBIHI, ENSET, Université de Douala, B.P. 1872 Douala, Cameroun
Martin KOM, ENSPY, Université de Yaoundé I, B.P. 8390 Yaoundé, Cameroun
Résumé
L’objectif de cet article est de montrer comment concevoir un prototype rapide d’amplificateur opérationnel (AOP) fait à base de la technologie CMOS sur le logiciel de simulation Proteus. Cet AOP est pour l’utilisation intégré des systèmes de détection à silicon strip, Si(Li), CdZnTe et CsI, etc. Ce circuit à trois étages permet de réaliser des performances aussi compétitives que celles des précédents amplificateurs opérationnels. Ce système de performance relative a un gain différentiel de 47,90 dB ; une impédance d’entrée de 1015 Ω ; une impédance de sortie de 25 Ω ; un taux de réjection en mode commun 57,80 dB et une vitesse de balayage de 27,5 V/µs.
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Pour citer cet article
TAFO Evariste WEMBE, Daniel TEKO, Nicodem NISSO, Jean MBIHI et Martin KOM. «Réalisation et simulation d’un modèle rapide d’amplificateur opérationnel en technologie CMOS».
Afrique Science,
Vol.7, N°1 (2011),
1 janvier 2011,
http://www.afriquescience.info/document.php?id=2065. ISSN 1813-548X.
Revue électronique internationale publiée par l'ENS d'Abidjan (Côte d'Ivoire) en partenariat avec l'Université d'Abobo-Adjamé (Côte d'Ivoire), l'ENS de Rabat (Maroc) et l'Université Hassan 2 de Mohammédia (Maroc) avec le soutien de l'Agence universitaire de la Francophonie (AUF)
ISSN 1813-548X