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Optimisation des paramètres de dépôt de a-Si :H dans la technique Hg-photo-CVD


B. AKA, Laboratoire de Physique Appliquée, Ecole Normale Supérieure d’Abidjan, 22BP 1561 Abidjan 22 (Côte d’Ivoire)

Date de publication : 1 septembre 2005

Résumé

La technique Hg-photo-CVD, reconnue pour son usage dans l’élaboration en couches minces de matériaux semi-conducteurs et diélectriques, connaît un regain d’intérêt au vu de leurs nombreuses applications en microélectronique.

Il est établi que les propriétés physico-chimiques et optoélectroniques du matériau déposé, en l’occurrence le silicium amorphe hydrogéné (a-Si :H), sont fonction des conditions de préparation (notamment la température du substrat, la pression des gaz réactifs, leur débit, l’intensité lumineuse, la température du milieu réactionnel et la température du mercure).

Nous dégageons dans ce travail les conditions d’optimisation des principaux paramètres du dépôt : Température du mercure THg : environ 50 °C - Température du substrat Ts : 250 à 300 °C - Pression du gaz réactif : autour de 1 Torr - Débit du gaz réactif : 1 à 5 sccm (ou cm3/s) - L’intensité lumineuse nominale : 10 à 20 mW/cm2.

A Ts=280 °C, la photosensibilité est optimale avec une valeur de plus de 103. Dans les conditions de travail optimales proposées, la conversion du gaz réactif en silicium est rationalisée et la quantité élevée d’hydrogène formé sert, pour des raisons de sécurité, de gaz vecteur pour l’évacuation du mélange gazeux.



Pour citer cet article

B. AKA. «Optimisation des paramètres de dépôt de a-Si :H dans la technique Hg-photo-CVD». Afrique Science, Vol.1, N°2 (2005), 1 septembre 2005, http://www.afriquescience.info/document.php?id=235. ISSN 1813-548X.