Vol.1, N°1 (2005)

A propos de la préparation et la croissance de couches minces de a-Si:H à basse température par la technique Hg-Photo-CVD

Résumé

La technique Photo-CVD sensibilisée au mercure (Hg-photo-CVD) est largement utilisée pour déposer des couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Cette technique présente plusieurs avantages notamment la possibilité d’effectuer des dépôts de films sans défauts sur des substrats à basses températures. Dans cet article, nous présentons un petit rapport sur le principe et les potentialités de cette technique.

Nous rappelons un certain nombre de points fondamentaux relatifs au dispositif expérimental avec les particularités et fonctionnalités des différents éléments de l'appareillage. Nous examinons aussi quelques aspects fondamentaux de cette technique de dépôt tels que l'analyse des réactions en phase vapeur dans le réacteur, le modèle cinétique du processus de photo-décomposition du silane ainsi que le modèle de l’activité des réactifs en surface pendant la croissance des films.

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